Intel 18A: Ein Wettlauf auf dem Fundament des Sub-2nm

Auf der ISSCC (International Solid-State Circuits Conference) stellte Intel seine fortschrittliche 18A-Technologie vor, die das ambitionierte Ziel verfolgt, im sub-2nm-Bereich tätig zu sein. Diese Skalierung birgt enormes Potenzial und verspricht signifikante Fortschritte in Dichte, Leistung und Effizienz.

Intel 18A: Die Zahlen sprechen Klartext

Hohe Dichte: Intel demonstriert mit einer MacroBit-Density von 38,1 MBit/mm eine beeindruckende Skalierung. Vergleicht man diese Zahl mit dem ambitionierten Ziel von TSMC für N2 (ebenfalls 38,1 MBit/mm), entsteht ein spannendes Wettrennen um die Vorherrschaft im Bereich der Speicherzellen-Dichte. Intel betont damit sein hohes Leistungsniveau und positioniert sich direkt auf Augenhöhe mit dem Marktführer. TSMC wiederum hebt mit einem Wert hervor, der größer als () ist, dass noch mehr Potenzial vorhanden ist, ohne jedoch konkrete Daten offenzulegen.

Effiziente Skalierung: Die HDC-Bitzellen (High-Density) sollen in Intel 18A auf 0,021 µm schrumpfen, gegenüber 0,024 µm bei Intel 3. Dies entspricht einem Faktor von 0,88 und stellt einen signifikanten Fortschritt dar, besonders für die Skalierung von SRAMs.

PowerVia-Technologie: Diese Innovation spielt eine entscheidende Rolle in den Logikbereichen, indem sie Spannungsabfälle und Interferenzen reduziert. Bei den Bitzellen wird jedoch auf eine rückseitige Versorgung (Around the Array Schema) verzichtet, während I/O-, Control- und Decoder-Elemente über PowerVias versorgt werden.

Double Pumped SRAM: TSMC präsentiert seinen Double Pumped SRAM, der pro Taktzyklus Lese- und Schreibvorgänge ausführt. Dies ermöglicht eine 18% höhere Dichte, einen 8% höheren Takt und eine 19% höhere Effizienz im Vergleich zu herkömmlichen SRAMs.

Fazit: Ein vielversprechender Schritt in die Zukunft

Mit Intel 18A hat sich der Chip-Hersteller auf der ISSCC als ernstzunehmender Wettbewerber positioniert. Die gezeigten Leistungsdaten und Skalierungsfortschritte signalisieren, dass 18A das Potenzial hat, die Grenzen der Mikroelektronik weiter zu verschieben und neue Anwendungsmöglichkeiten in Bereichen wie High-Performance Computing, Künstlicher Intelligenz und Mobilgeräten zu eröffnen. Das Rennen um die technologische Führung im sub-2nm-Bereich ist spannend und hält viele Überraschungen bereit.

Schlagwörter: Intel + TSMC + Hohe Dichte

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