Die Infineon Technologies AG hat in Dresden einen weiteren Meilenstein im Bereich der Halbleiterfertigung erreicht: Die Bundesregierung unter dem BMWK hat mit einer staatlichen Förderung von 920 Millionen Euro grünes Licht für den Bau eines neuen, sogenannten Smart Power Fab-Werks gegeben. Diese Zusage galt bereits als sicher, da zuvor die EU-Kommission ihre Zustimmung zum Projekt im Rahmen des EU Chips Acts signalisiert hatte. Die Finanzierung erfolgt über unterschiedliche Kanäle: Neben der staatlichen Förderung aus Deutschland, die im Rahmen des EU Chips Acts ausgezahlt wird und somit rechtlich abgesichert ist, erhält Infineon zusätzlich finanzielle Unterstützung durch das Important Project of Common European Interest on Microelectronics and Communication Technologies (IPCEI ME/CT). Insgesamt summiert sich die Finanzspritze für das Projekt auf rund eine Milliarde Euro.
Das neue Werk, das mit Gesamtkosten von etwa fünf Milliarden Euro geplant ist, befindet sich bereits im Rohbau und soll ab Herbst 2026 in Serie produzieren. Es wird nicht nur Arbeitsplätze direkt am Produktionsstandort schaffen – rund 1000 Jobs sind dort vorgesehen – sondern auch indirekt über die Lieferkette weitere etwa 6000 Positionen generieren. Die Smart Power Fab wird zwei Haupttypen von Halbleitern auf 300 mm großen Wafern produzieren: Leistungs-Halbleiter für Systeme der Leistungssteuerung, -verwaltung und -regelung sowie integrierte Schaltungen, die sowohl digitale als auch analoge Signale verarbeiten können. Diese Chips werden in vielfältigen Branchen zum Einsatz kommen, darunter Industrie, Automobil und Verbrauchergüter.
Neben diesem Projekt beteiligt sich Infineon an einem weiteren wichtigen Halbleiter-Joint Venture: der European Semiconductor Manufacturing Company (ESMC), geleitet vom Weltmarktführer TSMC. Dieses Gemeinschaftsunternehmen entsteht ebenfalls in Dresden und hat ein Budget von insgesamt 10 Milliarden Euro. Davon werden fünf Milliarden vom Staat als Zuschuss bereitgestellt. Die ESMC konzentriert sich auf die Produktion von Halbleitern mit fortschrittlichen Strukturen im Bereich von 28 bis 12 Nanometern, die für komplexere Anwendungen in Technologiebereichen wie Künstliche Intelligenz und High-Performance-Computing benötigt werden.
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(pz)

