Ein neuer Spieler im Speicher-Business: Saimemory und die Zukunft des gestapelten DRAMs

Die Technologiewelt steht vor einem spannenden Wandel im Bereich des Speichermarketings. Intel, SoftBank und die Universität von Tokio planen, ein gemeinsames Unternehmen namens Saimemory zu gründen, das sich auf die Entwicklung eines gestapelten DRAMs fokussiert. Diese Information stammt aus Berichten des Nikkei Asia, die auf verschiedenen Insider-Informationen basieren. Erste Prototypen dieses neuen Speichertyps sollen bereits ab 2027 verfügbar sein, mit der Vision eines kommerziellen Markteintritts im Jahr 2030. Die genauen Details zur Architektur des neuen gestapelten DRAMs bleiben noch geheim. Es zeichnet sich jedoch ab, dass es als Alternative zu High Bandwidth Memory (HBM) konzipiert wird, einer Technologie, die ebenfalls aus mehreren DRAM-Dies besteht, die vertikal gestapelt und durch sogenannte Through-Silicon Vias (TSVs) miteinander verbunden sind. Sowohl HBM als auch der zukünftige Saimemory-Speicher nutzen ein breites Interface, aktuell bei HBM 1024 Bit pro Stack, um mit dem Compute-Chip über ein Interposer-Substrat zu kommunizieren. Diese direkte Verbindung ermöglicht kurze Signalwege, hohe Bandbreite und gleichzeitig geringen Energieverbrauch – ein wichtiger Faktor in der rasant entwickelnden Welt des High-Performance-Computing. Derzeit dominieren drei Unternehmen das HBM-Marktsegment: SK Hynix, Micron und Samsung. NVIDIA beispielsweise bezieht seine HBM3E für die Blackwell-Beschleuniger ausschließlich von Micron und SK Hynix, während Samsung bei der Verifikation seiner eigenen Versionen weiterhin Probleme hat. Diese Konzentration an Herstellern führte in der Vergangenheit immer wieder zu Engpässen und Lieferproblemen, die die Innovationsdynamik im Bereich Künstliche Intelligenz und High-Performance Computing beeinträchtigen können. Die Entwicklung eines neuen gestapelten DRAMs durch Saimemory bietet hier eine mögliche Lösung und vermeidet die Abhängigkeit von wenigen Produzenten. Ein Fokus liegt dabei laut Expertenaussagen besonders auf der Energieeffizienz des neuen Speichersystems. Der Trend zur Erhöhung der Kapazität je Zelle im gestapelten DRAM ist in der Branche weit verbreitet. Auch Samsung arbeitet intensiv an einer Weiterentwicklung dieses Typs, um die Gesamtkapazität der Chips zu steigern. Die genauen technischen Details und die Ausrichtung von Saimemory in diesem Kontext sind allerdings noch nicht öffentlich. Der Markt erwartet mit Spannung, wie sich diese Partnerschaft zwischen Intel, SoftBank und der Universität von Tokio entwickeln wird und welche konkreten Vorteile das neue gestapelte DRAM für die Zukunft des Speichermarketings bringen wird.

Schlagwörter: HBM + Samsung + Intel

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