Rapidus erzielt Meilenstein: Erste 2-nm-Wafer mit GAA-Transistoren in Japan

Ein japanisches Halbleiterunternehmen namens Rapidus, gegründet im Jahr 2022, hat einen Erfolg erzielt: die erste Herstellung von Wafern mit GAA-Transistoren im 2-nm-Maßstab. Dieser Schritt ist essenziell für das Projekt „Innovative Integration for Manufacturing“ (IIM-1), das die Spitze der Chip-Produktion in Japan repräsentiert. Der Erfolg unterstreicht die Expertise und den Fortschritt von Rapidus, das diese Wafer mit hochwertigen elektrischen Eigenschaften produziert.

Einzigartig an diesem Erfolg ist ein komplett einzelwaferbasiertes Front-End-Processing. Dabei wird jedes Siliziumblech unabhängig bearbeitet, was gezielte Anpassungen, Prüfungen und Optimierungen ermöglicht, die auf nachfolgende Wafer übertragen werden können. Diese Methode erlaubt eine detaillierte Datenerfassung pro Wafer und fördert den Einsatz von KI-gestützten Modellen zur Fertigungssteuerung und Ausbeuteverbesserung. Rapidus hat dieses Verfahren als erstes kommerziell umgesetzt, ein zentrales Element des „Rapid and Unified Manufacturing Service“ (RUMs), das die Effizienz und Innovation der Produktion vorantreibt.

Die Entwicklung bei Rapidus schreitet rasant voran. Der Bau des ersten Produktionszentrums (Fab) begann im September 2023, die Fertigstellung des Reinraums folgte im Jahr 2024. Bereits im Juni 2025 wurden erste Wafer belichtet, was nun zur Herstellung der ersten Wafer mit 2-nm GAA-Transistoren führte. Das dazu entwickelte Process Development Kit (PDK) steht ab dem ersten Quartal 2026 bereit. Mit dieser Grundlage plant Rapidus, die Massenproduktion ab 2027 zu starten und damit die globale Chiplandschaft nachhaltig zu beeinflussen. Diese Ziele unterstreichen Rapids Ambition, Japan als Kraft in der Halbleiterindustrie zu etablieren und den technologischen Fortschritt voranzutreiben.

Schlagwörter: Japan + Rapidus + PDK

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