Auf der ISSCC (International Solid-State Circuits Conference) stellte Intel seine fortschrittliche 18A-Technologie vor, die das ambitionierte Ziel verfolgt, im sub-2nm-Bereich t\u00e4tig zu sein. Diese Skalierung birgt enormes Potenzial und verspricht signifikante Fortschritte in Dichte, Leistung und Effizienz.<\/p>\n
Intel 18A: Die Zahlen sprechen Klartext<\/p>\n
Hohe Dichte: Intel demonstriert mit einer MacroBit-Density von 38,1 MBit\/mm eine beeindruckende Skalierung. Vergleicht man diese Zahl mit dem ambitionierten Ziel von TSMC f\u00fcr N2 (ebenfalls 38,1 MBit\/mm), entsteht ein spannendes Wettrennen um die Vorherrschaft im Bereich der Speicherzellen-Dichte. Intel betont damit sein hohes Leistungsniveau und positioniert sich direkt auf Augenh\u00f6he mit dem Marktf\u00fchrer. TSMC wiederum hebt mit einem Wert hervor, der gr\u00f6\u00dfer als () ist, dass noch mehr Potenzial vorhanden ist, ohne jedoch konkrete Daten offenzulegen.<\/p>\n
Effiziente Skalierung: Die HDC-Bitzellen (High-Density) sollen in Intel 18A auf 0,021 \u00b5m schrumpfen, gegen\u00fcber 0,024 \u00b5m bei Intel 3. Dies entspricht einem Faktor von 0,88 und stellt einen signifikanten Fortschritt dar, besonders f\u00fcr die Skalierung von SRAMs.<\/p>\n
PowerVia-Technologie: Diese Innovation spielt eine entscheidende Rolle in den Logikbereichen, indem sie Spannungsabf\u00e4lle und Interferenzen reduziert. Bei den Bitzellen wird jedoch auf eine r\u00fcckseitige Versorgung (Around the Array Schema) verzichtet, w\u00e4hrend I\/O-, Control- und Decoder-Elemente \u00fcber PowerVias versorgt werden.<\/p>\n
Double Pumped SRAM: TSMC pr\u00e4sentiert seinen Double Pumped SRAM, der pro Taktzyklus Lese- und Schreibvorg\u00e4nge ausf\u00fchrt. Dies erm\u00f6glicht eine 18% h\u00f6here Dichte, einen 8% h\u00f6heren Takt und eine 19% h\u00f6here Effizienz im Vergleich zu herk\u00f6mmlichen SRAMs.<\/p>\n
Fazit: Ein vielversprechender Schritt in die Zukunft<\/p>\n
Mit Intel 18A hat sich der Chip-Hersteller auf der ISSCC als ernstzunehmender Wettbewerber positioniert. Die gezeigten Leistungsdaten und Skalierungsfortschritte signalisieren, dass 18A das Potenzial hat, die Grenzen der Mikroelektronik weiter zu verschieben und neue Anwendungsm\u00f6glichkeiten in Bereichen wie High-Performance Computing, K\u00fcnstlicher Intelligenz und Mobilger\u00e4ten zu er\u00f6ffnen. Das Rennen um die technologische F\u00fchrung im sub-2nm-Bereich ist spannend und h\u00e4lt viele \u00dcberraschungen bereit.<\/p>\n
Schlagw\u00f6rter: Intel + TSMC + Hohe Dichte<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
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