Die Technologiewelt steht vor einem spannenden Wandel im Bereich des Speichermarketings. Intel, SoftBank und die Universit\u00e4t von Tokio planen, ein gemeinsames Unternehmen namens Saimemory zu gr\u00fcnden, das sich auf die Entwicklung eines gestapelten DRAMs fokussiert. Diese Information stammt aus Berichten des Nikkei Asia, die auf verschiedenen Insider-Informationen basieren. Erste Prototypen dieses neuen Speichertyps sollen bereits ab 2027 verf\u00fcgbar sein, mit der Vision eines kommerziellen Markteintritts im Jahr 2030. Die genauen Details zur Architektur des neuen gestapelten DRAMs bleiben noch geheim. Es zeichnet sich jedoch ab, dass es als Alternative zu High Bandwidth Memory (HBM) konzipiert wird, einer Technologie, die ebenfalls aus mehreren DRAM-Dies besteht, die vertikal gestapelt und durch sogenannte Through-Silicon Vias (TSVs) miteinander verbunden sind. Sowohl HBM als auch der zuk\u00fcnftige Saimemory-Speicher nutzen ein breites Interface, aktuell bei HBM 1024 Bit pro Stack, um mit dem Compute-Chip \u00fcber ein Interposer-Substrat zu kommunizieren. Diese direkte Verbindung erm\u00f6glicht kurze Signalwege, hohe Bandbreite und gleichzeitig geringen Energieverbrauch \u2013 ein wichtiger Faktor in der rasant entwickelnden Welt des High-Performance-Computing. Derzeit dominieren drei Unternehmen das HBM-Marktsegment: SK Hynix, Micron und Samsung. NVIDIA beispielsweise bezieht seine HBM3E f\u00fcr die Blackwell-Beschleuniger ausschlie\u00dflich von Micron und SK Hynix, w\u00e4hrend Samsung bei der Verifikation seiner eigenen Versionen weiterhin Probleme hat. Diese Konzentration an Herstellern f\u00fchrte in der Vergangenheit immer wieder zu Engp\u00e4ssen und Lieferproblemen, die die Innovationsdynamik im Bereich K\u00fcnstliche Intelligenz und High-Performance Computing beeintr\u00e4chtigen k\u00f6nnen. Die Entwicklung eines neuen gestapelten DRAMs durch Saimemory bietet hier eine m\u00f6gliche L\u00f6sung und vermeidet die Abh\u00e4ngigkeit von wenigen Produzenten. Ein Fokus liegt dabei laut Expertenaussagen besonders auf der Energieeffizienz des neuen Speichersystems. Der Trend zur Erh\u00f6hung der Kapazit\u00e4t je Zelle im gestapelten DRAM ist in der Branche weit verbreitet. Auch Samsung arbeitet intensiv an einer Weiterentwicklung dieses Typs, um die Gesamtkapazit\u00e4t der Chips zu steigern. Die genauen technischen Details und die Ausrichtung von Saimemory in diesem Kontext sind allerdings noch nicht \u00f6ffentlich. Der Markt erwartet mit Spannung, wie sich diese Partnerschaft zwischen Intel, SoftBank und der Universit\u00e4t von Tokio entwickeln wird und welche konkreten Vorteile das neue gestapelte DRAM f\u00fcr die Zukunft des Speichermarketings bringen wird.<\/p>\n
Schlagw\u00f6rter: HBM + Samsung + Intel<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
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