Micron, einer der weltweit f\u00fchrenden Speicherhersteller, hat k\u00fcrzlich eine aktualisierte Roadmap ver\u00f6ffentlicht, die einen Einblick in die zuk\u00fcnftige Entwicklung der Speichertechnologien bis zum Jahr 2028 gibt. Gem\u00e4\u00df der Roadmap plant Micron, ab Ende 2024 den Einsatz von GDDR7-Speicher f\u00fcr die neu erscheinenden Grafikkarten von AMD und NVIDIA. Dieser Speichertyp bietet eine h\u00f6here Kapazit\u00e4t und Geschwindigkeit im Vergleich zu bisherigen Generationen. Andere Speicherhersteller haben \u00e4hnliche Zeitpl\u00e4ne f\u00fcr die Einf\u00fchrung von GDDR7 angek\u00fcndigt, was auf eine breite Akzeptanz und Nutzung dieser Technologie hindeutet.<\/p>\n
Auch der HBM3E-Speicher von Micron wird eine wichtige Rolle im High-End-Segment einnehmen. Ab dem n\u00e4chsten Jahr wird er vorerst mit 12 Schichten erh\u00e4ltlich sein und eine beeindruckende Speicherkapazit\u00e4t von 36 GB pro Chip bieten. In den Jahren 2026 und 2027 plant Micron die Einf\u00fchrung von HBM4 mit 16 Schichten, was die Kapazit\u00e4t auf 48 GB erh\u00f6ht. Zudem wird es eine Verbesserung der Geschwindigkeit geben. Gegen Ende 2027 ist die Markteinf\u00fchrung von HBM4E geplant, welches eine gesteigerte Bandbreite und bis zu 64 GB pro Chip bieten wird.<\/p>\n
Die zuk\u00fcnftige Entwicklung von NAND-Flash f\u00fcr Arbeitsspeicher wird dagegen eher vorsichtig betrachtet. Es wird erwartet, dass Server-Prozessoren ab Ende dieses Jahres zun\u00e4chst DDR5-5600 und sp\u00e4ter DDR5-6400 unterst\u00fctzen werden. Micron hat bereits Pl\u00e4ne f\u00fcr den Jahreswechsel 2024\/25 angek\u00fcndigt, um RDIMMs mit einer Geschwindigkeit von bis zu 8.000 MT\/s einzuf\u00fchren. Gleichzeitig plant das Unternehmen die Einf\u00fchrung von MCRDIMMs, einer von Intel angeregten Technologie, die Kapazit\u00e4ten von 128 bis 256 GB und eine Geschwindigkeit von 8.800 MT\/s bietet. F\u00fcr das Jahr 2025\/26 ist dann der Wechsel zu MRDIMMs geplant, die eine Kapazit\u00e4t von mehr als 256 GB pro Modul und eine Geschwindigkeit von 12.800 MT\/s bieten werden.<\/p>\n
Die Fortschritte bei der Entwicklung von LPDDR, einer Speichertechnologie, die vor allem in mobilen Ger\u00e4ten zum Einsatz kommt, werden von Micron etwas verlangsamt. Die zweite Generation von LPCAMM, initiiert von Samsung, wird voraussichtlich ab Ende 2024 erh\u00e4ltlich sein. Micron plant Module mit Kapazit\u00e4ten von 16 bis 128 GB pro Modul. Der Datendurchsatz bleibt unver\u00e4ndert bei 8.533 MT\/s, erst im Jahr 2026 sollen die Module eine Geschwindigkeit von 9.600 MT\/s erreichen und eine Kapazit\u00e4t von 192 GB oder mehr aufweisen.<\/p>\n
Insbesondere im Bereich der Rechenzentren nimmt der Bedarf an leistungsst\u00e4rkerem und schnellerem Speicher aufgrund des KI-Booms stetig zu. Durch die Nutzung von schnellerem Speicher kann die Inferenz, also die Auswertung von KI-Modellen, um einen prozentual zweistelligen Bereich beschleunigt werden. Dementsprechend erkennen auch die Speicherhersteller ein erhebliches Wachstumspotenzial auf diesem Markt, wie Micron nun enth\u00fcllt hat. Die aktualisierte Roadmap gibt einen interessanten Ausblick auf die kommenden Jahre und zeigt, dass die Entwicklung von Speichertechnologien weiterhin fortschreitet, um den steigenden Anforderungen gerecht zu werden.<\/p>\n
Schlagw\u00f6rter: Micron + SpeicherKategorien + Roadmap<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
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