{"id":15585,"date":"2026-02-17T12:00:43","date_gmt":"2026-02-17T12:00:43","guid":{"rendered":"https:\/\/byte-bucket.com\/2026\/02\/17\/speicherplatz-ohne-ende-wie-samsung-und-sk-hynix-im-dram-rausch-die-fabriken-stapeln-und-die-konkurrenz-im-staub-lassen\/"},"modified":"2026-02-17T12:00:43","modified_gmt":"2026-02-17T12:00:43","slug":"speicherplatz-ohne-ende-wie-samsung-und-sk-hynix-im-dram-rausch-die-fabriken-stapeln-und-die-konkurrenz-im-staub-lassen","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/byte-bucket.com\/?p=15585","title":{"rendered":"Speicherplatz ohne Ende: Wie Samsung und SK Hynix im DRAM-Rausch die Fabriken stapeln und die Konkurrenz im Staub lassen"},"content":{"rendered":"<p>Die globale Nachfrage nach DRAM, vor allem f\u00fcr LPDDR- und HBM-Speichermodule, hat eine regelrechte Wucht entfesselt und s\u00e4mtliche Speicherhersteller in einen beispiellosen Baurausch verwickelt. Im Zentrum dieses Wettlaufs stehen nat\u00fcrlich die beiden koreanischen Giganten Samsung und SK Hynix, die Millionen und Milliarden schwer bepacken \u2013 zumindest in ihrem Heimatland. Samsung plant nicht nur neue Fabriken (Fabs) mit inszenierten Fab-Clustern, sondern auch den Ausbau seines gigantischen Pyeongtaek-Komplexes. Dort stehen bereits die Fabs P1 bis P3, voll ausger\u00fcstet und bereit zum Arbeiten. Fab P4 ist ein mehrteiliges Projekt, dessen finale Phase im April 2027 abgeschlossen sein soll. Und dann kommt Fab P5 ins Spiel \u2013 noch gr\u00f6\u00dfer, noch m\u00e4chtiger, bereit, die Kapazit\u00e4ten auf ein neues Level zu heben. Solche Dimensionen lassen sich nur schwer in Bildern erfassen, aber Besuche in Intels Fab 52 in Arizona und Fab P4 in Deutschland haben gezeigt, dass hier nicht mit Kleinbauprojekten gearbeitet wird. Ein Blick hinter die Kulissen dieser Fabriken offenbart ein komplexes Netzwerk aus Reinr\u00e4umen \u2013 gesch\u00fctzten Oasen der Pr\u00e4zision, in denen Chips entstehen. Samsung plant f\u00fcr Fab P5 sogar drei Etagen voller Reinr\u00e4ume, anstatt wie bei P3 und P4 nur zwei. Die Grundfl\u00e4che ist dabei identisch mit der von P4, doch statt 22 Reinr\u00e4umen sollen hier satte 32 Reinr\u00e4ume untergebracht werden. Stellen Sie sich vor: 640 Meter L\u00e4nge, 200 Meter Breite \u2013 ein gigantischer Geb\u00e4udekomplex, der f\u00fcr die Herstellung von DRAM-Chips ger\u00fcstet ist. Die koreanischen Medien berichten sogar von einer Verschiebung des Zeitplans, um den Einbau dieser Reinr\u00e4ume um sechs Monate zu beschleunigen. Auch wenn das letztendliche Produktionsstartdatum f\u00fcr 2028 unver\u00e4ndert bleibt, zeigt diese Vorreiterrolle Samsungs ambitionierten Planungsansatz auf. Die Nachfrage treibt die Expansion an \u2013 haupts\u00e4chlich der rasant wachsende KI-Markt verschlingt riesige Mengen an Speicherkapazit\u00e4ten und l\u00e4sst die Preise in schwindelerregende H\u00f6hen steigen. F\u00fcr Samsung bedeutet das ein lukratives Gesch\u00e4ft, wie die j\u00fcngsten Quartalsberichte deutlich belegen. Der Wettlauf um die Spitzenposition im DRAM-Markt ist somit noch lange nicht vorbei und verspricht weitere spektakul\u00e4re Entwicklungen.<\/p>\n<p>Schlagw\u00f6rter: Samsung + SK Hynix + Fab<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Die globale Nachfrage nach DRAM, vor allem f\u00fcr LPDDR- und HBM-Speichermodule, hat eine regelrechte Wucht entfesselt und s\u00e4mtliche Speicherhersteller in einen beispiellosen Baurausch verwickelt. Im Zentrum dieses Wettlaufs stehen nat\u00fcrlich die beiden koreanischen Giganten Samsung und SK Hynix, die Millionen und Milliarden schwer bepacken \u2013 zumindest in ihrem Heimatland. 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